光刻是一種使用曝光將設計的掩模圖案轉移到基板上的工藝。紫外光刻機是專為實驗室研發和小批量生產而設計的高分辨率光刻系統。光刻機提供良好的基板適應性，可夾持標準尺寸基板的最大直徑為150mm。該設備提供多種曝光方式，包括真空、軟接觸、硬接觸、最近鄰等，可實現鍵合對準、納米壓紋、微接觸密封等多種功能。

　　雙面對位的整體設計技術采用CCD圖像底部對位技術和單曝光頭正面曝光實現。采用新型高精度、多自由度光罩樣品精密對準工作臺結構設計，光罩樣品對準過程直觀，雕刻對準速度快，精度高。掩膜板和樣品的放置采用推拉式參考板和真空吸附，操作方便。該裝置可用于用紫外光照射正膠或負膠，通過顯影可對樣品進行精細圖案化。

　　紫外光刻機廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米技術。而且，該系列光刻機已被多家企業、研發中心、科研院所、高校采用作為其光刻系統的基礎；其過硬的技術、技術和良好的服務贏得了廣大用戶的青睞。

　　作為光刻系統，重要的UV曝光機技術在于以下兩個方面：掩模晶圓對準和將掩模上的圖案復制到晶圓上，為下一步或離子注入工藝做準備。紫外光刻機系統的曝光方式采用壓力可調的接觸式曝光，有效減少光刻膠對掩膜的污染和掩膜的磨損，從而提高掩膜的使用壽命。因此，曝光機/光刻系統以其高性價比令人印象深刻。