紫外光刻機廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米技術。并且，該系列光刻機已被多家企業、研發中心、科研院所、大專院校采用作為其光刻系統的基礎；其過硬的技術、良好的服務贏得了廣大用戶的青睞。作為光刻系統，其重要技術在于以下兩個方面：掩模晶圓對準和將掩模上的圖案復制到晶圓上，為下一步或離子注入工藝做準備。

　　紫外光刻機的曝光方式采用壓力可調的接觸曝光，有效減少光刻膠對掩模版的污染和掩模版的磨損，從而提高掩模版的使用壽命。該機采用i-line紫外曝光光源，光學系統采用特殊的抗衍射和線陡增強技術，采用積木錯位繩眼透鏡實現高光均勻照明，配備雙目雙目顯微鏡和CCD圖像對準系統（可以同時使用）。具有高曝光能量、小聚焦角、厚膠曝光功能。曝光設置微電腦控制，菜單界面友好，操作簡單。

 

　　該設備采用CCD圖像底部對準技術和單曝光頭正面曝光的整體設計技術，實現雙面對準。采用新穎的高精度、多自由度掩模樣品精密對準工作臺結構設計，掩模樣品對準過程直觀，雕刻對準速度快，精度高。掩模板和樣品的放置采用推拉式參考板和真空吸附，操作方便。該裝置可用于用紫外光照射正膠或負膠，通過顯影可對樣品進行精細圖案化。

　　紫外光刻機適用于所有標準化光刻應用，帶有頂部和底部對齊系統。底部對位系統允許對基板的上下表面進行圖形加工，適用于三五組易碎化合物、不規則基板、透明基板和碎片的微加工。具有鍵合對準升級功能和衍射減少光學系統。曝光方式可以是近距離接觸、軟接觸、硬接觸和真空接觸。